IXFH320N10T2
IXFT320N10T2
300
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time vs.
Junction Temperature
300
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time vs.
Drain Current
R G = 1 ? , V GS = 10V
250
I
D
= 200A
250
V DS = 50V
200
R G = 1 ? , V GS = 10V
200
T J = 125oC
150
100
V DS = 50V
150
100
T J = 25oC
50
0
I
D
= 100A
50
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times vs.
Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Junction Temperature
600
130
450
120
500
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
110
400
350
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
110
100
400
90
300
70
300
I D = 200A
90
I D = 100A
250
80
200
100
I D = 200A
50
30
200
150
I D = 100A
70
60
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
100
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
50
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times vs.
Gate Resistance
500
110
900
500
450
105
800
t f
t d(off) - - - -
450
400
100
700
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
400
350
300
250
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
T J = 125oC
95
90
85
600
500
400
I D = 200A
350
300
250
200
80
150
100
50
0
T J = 25oC
75
70
65
60
300
200
100
0
I D = 100A
200
150
100
50
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Amperes
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
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